Donaciones 15 de septiembre 2024 – 1 de octubre 2024
Acerca de la recaudación de fondos
buscar libros
libros
Donaciones:
57.8% alcanzado
Iniciar sesión
Iniciar sesión
los usuarios autorizados tienen acceso a:
recomendaciones personales
Bot de Telegram
historial de descargas
enviar a correo electrónico o Kindle
gestión de listas de libros
guardar en favoritos
Personal
Solicitudes de libros
Estudio
Z-Recommend
Listas de libros
Más populares
Categorías
Participación
Donar
Cargas
Litera Library
Donar libros en papel
Agregar libros en papel
Search paper books
Mi LITERA Point
Búsqueda de palabras clave
Main
Búsqueda de palabras clave
search
1
Мікроелектроніка. Елементи мікроелектроніки. Частина 1
Вища школа
Прищепа М.М.
,
Погребняк В.П.
рис
заряду
області
типу
транзистора
напруги
носіїв
переходу
струм
імс
електронів
силіцію
мдн
умов
струму
каналу
зміщення
провідності
значення
транзисторів
напруга
бази
напівпровідника
концентрація
стоку
база
поверхні
дірок
неосновних
областей
домішки
область
опз
gst
можемо
поля
діода
коефіцієнт
товщина
електричного
мкм
перехід
ємність
оскільки
напругу
фермі
використовують
формулою
si02
основи
Año:
2004
Idioma:
ukrainian
Archivo:
DJVU, 5.26 MB
Sus etiquetas:
0
/
0
ukrainian, 2004
2
Екситоніка низькорозмірних систем
Шпак А.П.
,
Куницький Ю.А.
,
Смик С.Ю.
поверхні
рис
атомів
силіцію
електронів
станів
енергія
квантових
gaas
шару
зв’язку
напівпровідника
зони
енергії
поверхневих
екситона
фази
електрона
структури
шарів
області
зростання
напівпровідникових
поверхневої
ями
електрони
оскільки
підкладки
властивості
дірки
атоми
екситонів
провідності
квантові
структур
дірок
межі
істотно
відбувається
квантової
поглинання
хрому
взаємодії
значення
поверхнева
силіцій
системи
заряду
скт
спектр
Idioma:
ukrainian
Archivo:
PDF, 2.05 MB
Sus etiquetas:
0
/
0
ukrainian
3
Мікроелектроніка. Елементи мікросхем. Збірник задач. Навчальний посібник
Вища школа
Прищепа М.М.
,
Погребняк В.П.
визначають
струм
області
переходу
типу
транзистора
розраховують
електронів
заряду
виразом
носіїв
формулою
зміщення
коефіцієнт
значення
напруга
дірок
розрахувати
насичення
температури
визначити
неосновних
умов
мкм
опір
конденсатора
база
бази
рис
колектора
домішки
товщина
резистора
концентрація
емітера
обчислюють
відносна
струму
розміри
діода
ємність
концентрації
напруги
довжина
спіралі
витік
колектор
похибка
прямого
силіції
Año:
2005
Idioma:
ukrainian
Archivo:
DJVU, 2.64 MB
Sus etiquetas:
0
/
0
ukrainian, 2005
4
Хімія. 10 клас. Підручник для загальноосвітніх навчальних закладів
Перун
Буринська Н.М.
,
Величко Л.П.
карбону
речовин
речовини
кислоти
моль
реакції
властивості
сульфуру
сн2
газ
оксид
атомів
рівняння
сн3
s02
аміаку
сполук
солі
кислота
сполуки
утворюється
реакцій
молекули
складу
органічних
вигляді
вугілля
метану
нітрогену
напишіть
газу
натрію
оксиду
природі
фосфор
ї
воді
відбувається
сі
кальцію
хімічні
амонію
використовують
добування
нафти
силіцію
вуглеводнів
с02
сульфатної
водою
Año:
2004
Idioma:
ukrainian
Archivo:
DJVU, 8.45 MB
Sus etiquetas:
0
/
0
ukrainian, 2004
1
Sigue
este link
o encuentra al bot "@BotFather" en Telegram
2
Envía el comando /newbot
3
Indica un nombre para tu bot
4
Indica un nombre de usuario para el bot
5
Copia el último mensaje de BotFather e insértalo aquí
×
×